西门子罗宾康高压变频器315A功率单元A5E37684782 原装代理

首页> 产品> 电工电气> 中压附件>

来自上海乃谐电气设备有限公司

¥45000.00元/人民币

发布时间 2022-03-08 关注次数 222

上海乃谐电气设备有限公司

家家通 5年

进入店铺

店铺留言

商家供应

图文介绍产品参数供应商信息

产品特性：功能强	是否进口：否	品牌：Siemens/西门子
型号：A5E37684782	产品系列：GH180	应用范围：通用
电源相数：三相	额定电压：三相AC525-690V	适配电机功率：6000kW
供电电压：高压	滤波器：内置EMC滤波器	直流电源性质：电压型
控制方式：电压矢量	输出电压调节方式：PWM控制	外型：柜式
营销方式：代理	物料编号：A5E37684782

西门子罗宾康高压变频器315A功率单元A5E37684782 原装代理详细介绍

功率单元也叫逆变模块，其作用是将输入模块的直流电压通过其内部的IGBT的开关作用转变成驱动电机的三相交流电源，加大输出电流，增大驱动负载的能力。变频器运转频率的高低完全由功率模块所输出的工作电压的高低来控制，功率模块输出的电压越高，变频器运转频率及输出功率越大。反之变频器运转频率及输出功率越低。

功率单元上主要电力电子器件：

1）整流桥：其作用是整流（将交流变成直流）。整流桥内部封装形式有以下两种，封装内部有6只整流二极管，用在功率单元的三相输入端；封装内部有2只整流二极管，用在功率单元的三相输入端以及旁通回路中。使用的整流桥电压等级有：1400V、1800V；

2）可控硅：可控硅使用在充电电路和旁通回路上，均起“开关”作用。使用的可控硅电压等级有：1400V、1800V；

3）电解电容：对整流桥整流后的直流进行滤波，使用的电压等级有：400V，使用的容量有3300uF、6800uF、10000uF。

4) IGBT：逆变（将直流变为交流）。IGBT大部分为“双管”（内部封装了两组IGBT模块）。使用的IGBT电压等级有：1200V、1700V；使用的IGBT电流等级有：75A、100A、150A、200A、300A、400A等。

高压变频器报IOC故障属于严重故障，若现场运行高压变频器突然报IOC故障，应引起现场维护人员重视。在电机负载无突变、传动轴瓦无抱死等外部机械无异常情况下，针对高压变频器本体可能引起IOC故障的原因及其措施进行分析解答。

1、由于高压变频器本身是一个庞大的开关电源，系统本身存在一定量的谐波。谐波可能通过线路耦合串入控制系统干扰系统正常运行，引起高压变频器内部电子线路板的误测、误报IOC故障引起停机影响生产。此类引起故障原因主要是由于高压变频器接地系统未严格按照变频器安装要求接地，变频器所有控制系统接地线缆应汇总至变频器控制柜与变压器柜相邻处，整个接地系统统一接入工厂接地系统(如有条件建议独立设置地下屏蔽接地系统)。

2、完美无谐波高压变频器IOC故障是通过外部硬件电路直接检测。检测流程如下：高压变频器输出B相和C相电流检测霍尔传感器→相关检测电阻→SCB（信号调理板）→SIB（系统接口板）→MB（调制板）→CPU。可以清楚看到IOC故障检测的流程，可能引起IOC故障的所有内部器件包括SIB（系统接口板）、SCB (信号处理板)、MB（调制板）、 CPU板或是电路板的相关接插件连接线缆损坏引起变频器报IOC故障。可以通过更换相关电路板和紧固相关接线排除IOC故障。

3、完美无谐波高压变频器可以通过修改SOP程序，使变频器对部分故障进行相应处理。在生产工艺条件允许情况下可以对变频器SOP程序进行相应修改，完成变频器自动响应和屏蔽IOC故障。

上海乃谐电气设备有限公司自2008年成立以来，随着业务的逐步拓展，在工业驱动服务领域的知名度逐步提高，我们和数十个终端客户建立了广泛稳定的合作关系，这些终端客户分布于各行各业：电力，市政，冶金，石油，化工，建材，采矿等，散布于全国各地。公司拥有一批曾长期工作于世界各知名品牌电气公司、专业从事高低压变频器服务的资深工程师，具备非常专业的知识技能、丰富的实践经验以及良好的客户沟通及培训技巧，时刻准备为客户提供快捷高效的服务。

型号	描述
LDZ469718.00C	COMP ASSEMBLY MICROPROCESSOR
LDZ085868C	FIBER OPTIC ASY, DUPLEX, 8METE
LDZ1051378	SW, Door interlock
LDZ094726C	PTC OVER TEMP. PROTECTOR
LDZ094595C	PTC OVER TEMP. PROTECTOR
A1A094726	PTC OVER TEMP. PROTECTOR
A1A094595	PTC OVER TEMP. PROTECTOR
LDZ10500424.040	GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 40A
LDZ10500424.070	GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 70A
LDZ10500424.100	GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 100A
LDZ10500424.140	GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 140A
LDZ10500494.200	GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 200A
LDZ10500494.260	GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 260A
A5E33094595（A5E33115305)	G4 CELL
A5E32855090（A5E33115306)	G4 CELL
A5E33096198（A5E33115308)	G4 CELL
A5E32539903（A5E33115309)	G4 CELL
A5E35494212	G4 CELL
LDZ10506547 replaced LDZ10506536	FUSE SEMICONDUCTOR 100A 1000V
LDZ10506548 replaced LDZ10506537	FUSE SEMICONDUCTOR 160A,1000V
LDZ10506549 replaced LDZ10506538	FUSE SEMICONDUCTOR 200A,1000V
LDZ10506539	FUSE SEMICONDUCTOR,250A,1000V
A5E02547653 replaced LDZ10506540	FUSE_DEVICE_450A_1.25kV
A5E31476702	FUSE
A5E31476700	FUSE
A5E31476394	FUSE
A5E31556481	FUSE
LDZ10501376	CURR TRNSDCR,CLSD LOOP,2000A
A1A093207	DEIONIZE-MIXED BED TYPE
A1A461J63.01250H	WCLL POWER CELL
A1A10000313.00	ASSY,BASIC CHASSIS,NXG,8 SLOT
A5E03931016	ASSY,BASIC CHASSIS,NXG,8 SLOT
A1A099609	DEIONIZER TANK,MIXED BED TYPE
LDZ164372.26C	CURR XDUCER BURDEN,88.65ohm
LDZ164372.42C	CURR XDUCER BURDEN,63.13ohm
LDZ164372.47C	CURR XDUCER BURDEN, 34.00 ohm
A1A164372.26	CURR XDUCER BURDEN,88.65ohm
A1A164372.42	CURR XDUCER BURDEN,63.13ohm
A1A164372.47	CURR XDUCER BURDEN, 34.00 ohm
A1A164372.46	CURR XDUCER BURDEN,44.19 OHM
A1A164372.48	CURR XDUCER BURDEN,126.27 OHM
LDZ10503256	RESISTOR 350W 4.5K
A5E35632577	POWER_SPLY_UPS_220V
LDZ10501360	POWER SUPPLY
A5E33980677	POWER SUPPLY
A5E33980468	POWER SUPPLY
A5E33032455	NXGPRO DCR
A5E33032452	NXGPRO DCR
A5E33032458	NXGPRO DCR
A5E32100313	IO BOARD
A5E37876282	POWER SUPPLY
A5E36968571	SIB w/o Out Fltr CT