A5E32841088西门子罗宾康高压变频器功率单元原装备件IGBT

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来自上海乃谐电气设备有限公司

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发布时间 2022-03-08 关注次数 244

上海乃谐电气设备有限公司

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图文介绍产品参数供应商信息

产品特性：传输快	是否进口：否	品牌：Siemens/西门子
型号：A5E32841088	产品系列：GH180	应用范围：通用
电源相数：多相	额定电压：三相AC525-690V	适配电机功率：5600kW
供电电压：高压	滤波器：不带滤波器	直流电源性质：电流型
控制方式：电流矢量	输出电压调节方式：PWM控制	外型：陶瓷
营销方式：代理	物料编号：A5E32841088

A5E32841088西门子罗宾康高压变频器功率单元原装备件IGBT详细介绍

IGBT是一种大功率的电力电子器件，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。变频器IGBT模块的工作原理：变频器IGBT模块的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

变频器IGBT模块的特性：静态特性IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高Id越大。它与GTR的输出特性相似,也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT,正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。

高压变频器常见故障：

1、输入欠压故障：变频器输入电压低于额定输入的55%。该故障可能是瞬态的。

2、输入接地：软件检测到接地故障，该故障通常由输入接地故障引起。检查系统接口板上测试点输入电压是否对称。

3、输入缺相：一根或数根输入高压电缆不能向输入变压器初级供电。检查输入高压开关和连接线，确认输入线连接正确而且高压开关保持完好。

4、输出接地故障：软件检测到接地故障，通常由输出接地引起。断开变频器和电机的连接，用兆欧表检测电机和电机电缆绝缘。也可能系统接口板故障。

5、电源保险丝熔断：功率单元的输入电源保险丝开路。更换保险丝。

6、启动变频器一段时间后，键盘显示：Fatal startup fault：CPU板故障或CF卡故障。

7、A/D硬件报警/故障：A/D硬件报警/故障。

上海乃谐电气设备有限公司是一家专业从事高低压变频器现场预防性维护、设备故障应急检修、高低压变频器系统升级、高低压变频器技术培训，同时经营世界知名品牌的变频器及其备件销售的专业公司。公司还代理各种伺服驱动产品，PLC产品，公司具有工业自动化系统集成，工程设计，现场安装调试等服务的能力。

型号	描述
LDZ469718.00C	COMP ASSEMBLY MICROPROCESSOR
LDZ085868C	FIBER OPTIC ASY, DUPLEX, 8METE
LDZ1051378	SW, Door interlock
LDZ094726C	PTC OVER TEMP. PROTECTOR
LDZ094595C	PTC OVER TEMP. PROTECTOR
A1A094726	PTC OVER TEMP. PROTECTOR
A1A094595	PTC OVER TEMP. PROTECTOR
LDZ10500424.040	GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 40A
LDZ10500424.070	GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 70A
LDZ10500424.100	GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 100A
LDZ10500424.140	GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 140A
LDZ10500494.200	GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 200A
LDZ10500494.260	GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 260A
A5E33094595（A5E33115305)	G4 CELL
A5E32855090（A5E33115306)	G4 CELL
A5E33096198（A5E33115308)	G4 CELL
A5E32539903（A5E33115309)	G4 CELL
A5E35494212	G4 CELL
LDZ10506547 replaced LDZ10506536	FUSE SEMICONDUCTOR 100A 1000V
LDZ10506548 replaced LDZ10506537	FUSE SEMICONDUCTOR 160A,1000V
LDZ10506549 replaced LDZ10506538	FUSE SEMICONDUCTOR 200A,1000V
LDZ10506539	FUSE SEMICONDUCTOR,250A,1000V
A5E02547653 replaced LDZ10506540	FUSE_DEVICE_450A_1.25kV
A5E31476702	FUSE
A5E31476700	FUSE
A5E31476394	FUSE
A5E31556481	FUSE
LDZ10501376	CURR TRNSDCR,CLSD LOOP,2000A
A1A093207	DEIONIZE-MIXED BED TYPE
A1A461J63.01250H	WCLL POWER CELL
A1A10000313.00	ASSY,BASIC CHASSIS,NXG,8 SLOT
A5E03931016	ASSY,BASIC CHASSIS,NXG,8 SLOT
A1A099609	DEIONIZER TANK,MIXED BED TYPE
LDZ164372.26C	CURR XDUCER BURDEN,88.65ohm
LDZ164372.42C	CURR XDUCER BURDEN,63.13ohm
LDZ164372.47C	CURR XDUCER BURDEN, 34.00 ohm
A1A164372.26	CURR XDUCER BURDEN,88.65ohm
A1A164372.42	CURR XDUCER BURDEN,63.13ohm
A1A164372.47	CURR XDUCER BURDEN, 34.00 ohm
A1A164372.46	CURR XDUCER BURDEN,44.19 OHM
A1A164372.48	CURR XDUCER BURDEN,126.27 OHM
LDZ10503256	RESISTOR 350W 4.5K
A5E35632577	POWER_SPLY_UPS_220V
LDZ10501360	POWER SUPPLY
A5E33980677	POWER SUPPLY
A5E33980468	POWER SUPPLY
A5E33032455	NXGPRO DCR
A5E33032452	NXGPRO DCR
A5E33032458	NXGPRO DCR
A5E32100313	IO BOARD
A5E37876282	POWER SUPPLY
A5E36968571	SIB w/o Out Fltr CT