上海乃谐电气设备有限公司 >> 产品供应 >> 光纤接口板套件 A1A252241.55S西门子罗宾康GH180备件
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上海乃谐电气设备有限公司

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  • 所在地区:上海 闵行区
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详细参数

产品详情

外型:板式

滤波器:无

控制方式:电流矢量

产品系列:GH180

直流电源性质:电流型

输出电压调节方式:PAM

外形尺寸(宽x高x厚):22*13*1CM

重量:0.8KG

适配电机功率:6000KW

电源:5V

频率:20MHz

室内常温:20℃~26℃

湿度:40%~65%

品牌:西门子

可售卖地:北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西;甘肃;青海;宁夏;新疆

型号:A1A252241.55S


光纤接口板主要有如下特性:

1每块板能提供多达12个单元的接口

2通过一个60芯扁平电缆与数字调制板连接

3 输入/输出信号经过缓冲处理

4 ISA 总线金手指仅提供+-5V电源

5 光纤收/发器全部工作频率高达 20MHz

6上电时防止误发光信号,直到系统就绪

7光纤输出使能信号由数字调制板发出

8通过光纤通道在调制板和单元间传送数据,提供多达12个单元的接口。


高压变频器内部包括电力电子器件构成的主电路和由集成电路等构成的属于弱电电路的控制系统,其中控制系统比较容易受干扰。采用各种相关的抗干扰措施以保证设备安全可靠地工作也是高压变频器设计与应用过程中的一项重要工作。干扰信号的传播方式主要有以下几种方式:

1)空中辐射方式,即以电磁波的方式向外辐射。

2)电磁感应方式,即通过线间电感而感应。

3)静电感应方式,即通过线间电容而感应。

4)线路传播方式,主要通过电源网络传播。


针对不同的干扰信号的不同传播方式,可以采取相应的抗干扰措施:

1.对于通过辐射传播的干扰信号,主要通过吸收的方法来削弱,可以在电源处设置由共模滤波电感及电容构成的无线电抗干扰滤波器。

2.对于通过感应方式传播的干扰信号,主要通过正确的布线和采用屏蔽线来削弱。如弱点控制系统距离电力电源至少100mm,绝不可以放在同一导线槽内;另外控制电路配线相交时要成直角。控制电路的配线应该采用双绞线,双绞线的节距应该在15mm以下;为了防止多电路信号的相互干扰,信号线采用分别绞合为宜。

3.对于线路传播的干扰信号,有多种方法可以使用。如在控制电源输入端设置进线滤波器;有的变频器控制电路的电源取自隔离变压器的一个二次绕组,一般要对变压器进行电气隔离。在控制系统和主电路之间传递的信号,通常采用光纤实现强弱电的隔离。

4.在设计变频器的控制系统时,要尽量缩短电源线,接地线,尽量避免由于多个控制单元因高速开关而在公共配线上引起的公共阻抗而形成的干扰。合理的采取浮地和隔离措施,可以降低地环路的干扰。

上海乃谐电气设备有限公司是一家专业从事高低压变频器现场预防性维护、设备故障应急检修、高低压变频器系统升级、高低压变频器技术培训,同时经营世界知名品牌的变频器及其备件销售的专业公司。公司还代理各种伺服驱动产品,PLC产品,公司具有工业自动化系统集成,工程设计,现场安装调试等服务的能力。

LDZ094726C

PTC OVER TEMP.   PROTECTOR

LDZ094595C

PTC OVER TEMP.   PROTECTOR

A1A094726

PTC OVER TEMP.   PROTECTOR

A1A094595

PTC OVER TEMP.   PROTECTOR

LDZ10500424.040

GEN4 CELL ASSEMBLY   KIT 40A

LDZ10500424.070

GEN4 CELL ASSEMBLY   KIT 70A

LDZ10500424.100

GEN4 CELL ASSEMBLY   KIT 100A

LDZ10500424.140

GEN4 CELL ASSEMBLY   KIT 140A

LDZ10500494.200

GEN4 CELL ASSEMBLY   KIT 200A

LDZ10500494.260

GEN4 CELL ASSEMBLY   KIT 260A

A5E33094595(A5E33115305)

G4 CELL

A5E32855090(A5E33115306)

G4 CELL

A5E33096198(A5E33115308)

G4 CELL

A5E32539903(A5E33115309)

G4 CELL

A5E35494212

G4 CELL

LDZ10506547 replaced  LDZ10506536

FUSE SEMICONDUCTOR   100A 1000V

LDZ10506548 replaced LDZ10506537

FUSE SEMICONDUCTOR 160A,1000V 

LDZ10506549 replaced LDZ10506538

FUSE SEMICONDUCTOR   200A,1000V

LDZ10506539

FUSE   SEMICONDUCTOR,250A,1000V

A5E02547653 replaced  LDZ10506540

FUSE_DEVICE_450A_1.25kV

A5E31476702

FUSE

A5E31476700

FUSE

A5E31476394

FUSE

A5E31556481

FUSE

LDZ10501376

CURR TRNSDCR,CLSD   LOOP,2000A

A1A093207

DEIONIZE-MIXED BED   TYPE

A1A461J63.01250H

WCLL POWER CELL

A1A10000313.00

ASSY,BASIC   CHASSIS,NXG,8 SLOT
















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