产品详情
| 产品特性：高效 | 是否进口：否 | 品牌：Siemens/西门子 |
| 型号：A1A099068 | 产品系列：GH180 | 应用范围：通用 |
| 电源相数：三相 | 额定电压：三相AC525-690V | 适配电机功率：5600kW |
| 供电电压：高压 | 滤波器：不带滤波器 | 直流电源性质：电流型 |
| 控制方式：电流矢量 | 输出电压调节方式：PWM控制 | 外型：塑壳 |
| 营销方式：代理 | 物料编号：A1A099068 |
A1A099068西门子罗宾康GH180高压变频器备件IGBT详细介绍
IGBT是一种大功率的电力电子器件，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。
变频器IGBT模块的工作原理：变频器IGBT模块的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。
在变频器设计和使用过程中，还应考虑变频器的内部结构、工作原理和使用环境，通过采取屏蔽、接地和隔离等多种措施，以保证整个系统可靠，安全工作。
1）合理布线：能在相当大的程度上消弱干扰信号的强弱，布线时，各种设备的控制线应尽量远离变频器的输入、输出线。控制线在空间上，应尽量和变频器的输入、输出线交叉，正交。
2）削弱干扰源：接入电抗器或滤波器，对小功率变频器，成本较高，也可以采用一种低成本的电磁干扰抑制方法：将电动机电缆从铁氧体环中穿过，是穿过的部分导线的阻抗局部增大，阻止电磁干扰电流流过。如将导线在铁氧体环上绕几圈，总的电阻和阻抗将随圈数的平方而增大。电机电缆可从铁氧环体中穿过三次。但应注意，连接电机和变频器的接地线应留在环外。
3）对线路进行屏蔽：变频器到电动机之间的连接线，应尽量出入金属管内，金属管应该接地。信号线屏蔽层不论是接公共端还是接地，都只能在一端进行，切不可两端都接。
4）准确接地：接地线尽量粗些，接地点尽量靠近变频器；接地线应尽量远离电源线；变频器所用接地线，必须和其他设备接地线分开；必须绝对避免把所用设备的接地线连接在一起后在接地；变频器的接地端子不能和电源的“零线”相接。
变频器的干扰会对其它设备的运行造成影响，所以变频器的抗干扰措施一定要做好，才能保证生产系统的安全可靠运行。
上海乃谐电气设备有限公司是一家专业从事高低压变频器现场预防性维护、设备故障应急检修、高低压变频器系统升级、高低压变频器技术培训，同时经营世界知名品牌的变频器及其备件销售的专业公司。公司还代理各种伺服驱动产品，PLC产品，公司具有工业自动化系统集成，工程设计，现场安装调试等服务的能力。
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型号 |
描述 |
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LDZ469718.00C |
COMP ASSEMBLY MICROPROCESSOR |
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LDZ085868C |
FIBER OPTIC ASY, DUPLEX, 8METE |
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LDZ1051378 |
SW, Door interlock |
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LDZ094726C |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
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LDZ094595C |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
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A1A094726 |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
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A1A094595 |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
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LDZ10500424.040 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 40A |
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LDZ10500424.070 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 70A |
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LDZ10500424.100 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 100A |
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LDZ10500424.140 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 140A |
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LDZ10500494.200 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 200A |
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LDZ10500494.260 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 260A |
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A5E33094595（A5E33115305) |
G4 CELL |
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A5E32855090（A5E33115306) |
G4 CELL |
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A5E33096198（A5E33115308) |
G4 CELL |
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A5E32539903（A5E33115309) |
G4 CELL |
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A5E35494212 |
G4 CELL |
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LDZ10506547 replaced LDZ10506536 |
FUSE SEMICONDUCTOR 100A 1000V |
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LDZ10506548 replaced LDZ10506537 |
FUSE SEMICONDUCTOR 160A,1000V |
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LDZ10506549 replaced LDZ10506538 |
FUSE SEMICONDUCTOR 200A,1000V |
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LDZ10506539 |
FUSE SEMICONDUCTOR,250A,1000V |
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A5E02547653 replaced LDZ10506540 |
FUSE_DEVICE_450A_1.25kV |
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A5E31476702 |
FUSE |
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A5E31476700 |
FUSE |
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A5E31476394 |
FUSE |
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A5E31556481 |
FUSE |
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LDZ10501376 |
CURR TRNSDCR,CLSD LOOP,2000A |
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A1A093207 |
DEIONIZE-MIXED BED TYPE |
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A1A461J63.01250H |
WCLL POWER CELL |
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A1A10000313.00 |
ASSY,BASIC CHASSIS,NXG,8 SLOT |
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A5E03931016 |
ASSY,BASIC CHASSIS,NXG,8 SLOT |
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A1A099609 |
DEIONIZER TANK,MIXED BED TYPE |
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LDZ164372.26C |
CURR XDUCER BURDEN,88.65ohm |
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LDZ164372.42C |
CURR XDUCER BURDEN,63.13ohm |
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LDZ164372.47C |
CURR XDUCER BURDEN, 34.00 ohm |
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A1A164372.26 |
CURR XDUCER BURDEN,88.65ohm |
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A1A164372.42 |
CURR XDUCER BURDEN,63.13ohm |
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A1A164372.47 |
CURR XDUCER BURDEN, 34.00 ohm |
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A1A164372.46 |
CURR XDUCER BURDEN,44.19 OHM |
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A1A164372.48 |
CURR XDUCER BURDEN,126.27 OHM |
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LDZ10503256 |
RESISTOR 350W 4.5K |
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A5E35632577 |
POWER_SPLY_UPS_220V |
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LDZ10501360 |
POWER SUPPLY |
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A5E33980677 |
POWER SUPPLY |
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A5E33980468 |
POWER SUPPLY |
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A5E33032455 |
NXGPRO DCR |
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A5E33032452 |
NXGPRO DCR |
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A5E33032458 |
NXGPRO DCR |
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A5E32100313 |
IO BOARD |
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A5E37876282 |
POWER SUPPLY |
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A5E36968571 |
SIB w/o Out Fltr CT |
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￥8000.00键盘A5E02624585西门子罗宾康GH180原装备件
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