产品详情
| 产品特性：品质稳定 | 是否进口：否 | 品牌：Siemens/西门子 |
| 型号：6SR3900-0JM47-0AM0 | 产品系列：GH180 | 应用范围：通用 |
| 电源相数：三相 | 额定电压：三相AC525-690V | 适配电机功率：5600kW |
| 供电电压：高压 | 滤波器：不带滤波器 | 直流电源性质：电流型 |
| 控制方式：电流矢量 | 输出电压调节方式：PWM控制 | 外型：陶瓷 |
| 营销方式：代理 | 物料编号：6SR3900-0JM47-0AM0 |
西门子罗宾康功率单元熔丝6SR3900-0JM47-0AM0 博大精深 同心致远详细介绍
熔断器是指当电流超过规定值时，以本身产生的热量使熔体熔断，断开电路的一种电器，被广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中，作为短路和过电流的保护器，是应用普遍的保护器件之一。
熔断器的保护特性亦可称熔化特性，它是熔断器的主要特性。熔化特性表征通过熔体的电流与熔体熔化时间的关系，它和热继电器的保护温度特性一样，都是反时限的。熔断器的保护特性中有一熔断电流与不熔断电流的分界线，与此相应的电流就是最小熔化电流R。它是这样一个电流值，当通过熔体的电流等于它时，熔体在额定电流下绝对不应熔断，故R>e。最小熔化电流与熔体的额定电流之比称为溶化系数B,它是表征熔断器保护小倍数过载时的灵敏度的指标。从过载保护的观点来看，B小，对小倍数过载有利。例如，从电缆和电动机的过载保护来看，值宜在1.2~1.4之间。如果B值小到接近于1，则不仅在熔体1e下的工作会过高，而且还有可能因安一秒特性本身的误差而发生熔体在下也熔断的现象，这就影响了熔断器工作的可靠性。
变频器预防性维护（PMA）是提高变频器可靠性，使维护成本和维修费用最小化，延长变频器使用寿命，减少意外停机的主要措施。其主要措施是检查变频器目前存在问题，消除安全运行隐患。这些隐患包括变频器本身可能存在的一些技术性能的降低，器件老化，以及因设备运行环境的原因，可能对运行产生的影响加以预防或改进，如房间空气清洁度的改进，环境温度、湿度的降低改进等。从而使变频器的运行性能加以改进及提高，降低故障率，减少停机时间，提高设备利用率。
上海乃谐电气设备有限公司经过理解和吸收国内外先进管理理念的基础上结合公司在国内的实际商业和工业环境，作出适于国内环境的服务流程和产品优化供应方案。更强调把这些先进的理念应用于具体的执行上，以“团队精神、专业高效、持续改进”为服务客户的宗旨，培养出了“召之即来，来之能战，战之能胜”的专业服务团队。
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型号 |
描述 |
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LDZ469718.00C |
COMP ASSEMBLY MICROPROCESSOR |
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LDZ085868C |
FIBER OPTIC ASY, DUPLEX, 8METE |
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LDZ1051378 |
SW, Door interlock |
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LDZ094726C |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
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LDZ094595C |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
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A1A094726 |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
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A1A094595 |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
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LDZ10500424.040 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 40A |
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LDZ10500424.070 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 70A |
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LDZ10500424.100 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 100A |
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LDZ10500424.140 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 140A |
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LDZ10500494.200 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 200A |
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LDZ10500494.260 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 260A |
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A5E33094595（A5E33115305) |
G4 CELL |
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A5E32855090（A5E33115306) |
G4 CELL |
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A5E33096198（A5E33115308) |
G4 CELL |
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A5E32539903（A5E33115309) |
G4 CELL |
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A5E35494212 |
G4 CELL |
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LDZ10506547 replaced LDZ10506536 |
FUSE SEMICONDUCTOR 100A 1000V |
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LDZ10506548 replaced LDZ10506537 |
FUSE SEMICONDUCTOR 160A,1000V |
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LDZ10506549 replaced LDZ10506538 |
FUSE SEMICONDUCTOR 200A,1000V |
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LDZ10506539 |
FUSE SEMICONDUCTOR,250A,1000V |
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A5E02547653 replaced LDZ10506540 |
FUSE_DEVICE_450A_1.25kV |
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A5E31476702 |
FUSE |
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A5E31476700 |
FUSE |
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A5E31476394 |
FUSE |
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A5E31556481 |
FUSE |
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LDZ10501376 |
CURR TRNSDCR,CLSD LOOP,2000A |
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A1A093207 |
DEIONIZE-MIXED BED TYPE |
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A1A461J63.01250H |
WCLL POWER CELL |
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A1A10000313.00 |
ASSY,BASIC CHASSIS,NXG,8 SLOT |
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A5E03931016 |
ASSY,BASIC CHASSIS,NXG,8 SLOT |
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A1A099609 |
DEIONIZER TANK,MIXED BED TYPE |
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LDZ164372.26C |
CURR XDUCER BURDEN,88.65ohm |
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LDZ164372.42C |
CURR XDUCER BURDEN,63.13ohm |
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LDZ164372.47C |
CURR XDUCER BURDEN, 34.00 ohm |
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A1A164372.26 |
CURR XDUCER BURDEN,88.65ohm |
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A1A164372.42 |
CURR XDUCER BURDEN,63.13ohm |
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A1A164372.47 |
CURR XDUCER BURDEN, 34.00 ohm |
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A1A164372.46 |
CURR XDUCER BURDEN,44.19 OHM |
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A1A164372.48 |
CURR XDUCER BURDEN,126.27 OHM |
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LDZ10503256 |
RESISTOR 350W 4.5K |
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A5E35632577 |
POWER_SPLY_UPS_220V |
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LDZ10501360 |
POWER SUPPLY |
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A5E33980677 |
POWER SUPPLY |
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A5E33980468 |
POWER SUPPLY |
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A5E33032455 |
NXGPRO DCR |
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A5E33032452 |
NXGPRO DCR |
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A5E33032458 |
NXGPRO DCR |
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A5E32100313 |
IO BOARD |
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A5E37876282 |
POWER SUPPLY |
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A5E36968571 |
SIB w/o Out Fltr CT |
