产品详情
外型：块状
滤波器：无
控制方式：电流矢量
产品系列：GH180
直流电源性质：电流型
输出电压调节方式：PAM
外形尺寸（宽x高x厚）：10*20*10CM
电流：550A
电压：690V
重量：0.87KG
存放温度：+5~+45℃
电气隔离：光纤隔离
应用范围：通用
产品生命周期：PM300:有效产品
出口管制规定：AL : N \/ ECCN : N
数量单位：1件
包装数量：1
原产地：中国
品牌：西门子
可售卖地：北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西;甘肃;青海;宁夏;新疆
型号：A5E33783603
熔断器的主要技术参数：
(1)额定电压熔断器长期工作时和分断后能够耐受的电压，其量值一般等于或大于电气设备的额定电压；
(2)额定电流熔断器能长期通过的电流，它决定于熔断器各部分长期工作时的容许温升；
(3)极限分断能力熔断器在故障条件下能可靠的分断上限短路电流，它是熔断器的主要技术指标之一。
(4)弧前电流一时间特性。
(5)2t特性当分断电流甚大时，以弧前电流一时间特性表征熔断器的性能己足够了，因为此时燃弧时间在整个熔断时间并不能忽略。又由于这时电流在20s甚至更短的时间内就分断，若以正弦波有效值来表示它，则在分析其热效应方面也不够恰当，因此，要通过积分(Jto idt)来表示热效应，这就是2t特性。通常，熔断器的保护性能在熔断时间小于0.1s时是以2t特性表征的；在熔断时间大于0.1s时则用弧前电流一时间特性表征的。
(6)断开过电压熔断器分断电路时因线路有电感所出现的、超过线路额定电压数倍的自感电势，它既会影响熄弧过程，也可能损坏线路和电气设备的绝缘。对于具有限流作用的熔断器，断开过电压相当高，对此尤应注意。
变频器运行巡检注意事项：
1、认真监视并记录变频器显示屏上的各显示参数，发现异常应即时反映。
2、认真监视并记录变频室的环境温度，环境温度应在0℃～40℃之间。
3、变频器柜门上的过滤网通常每周应清扫一次；如工作环境灰尘较多，清扫间隔还应根据实际情况缩短。
4、变频器正常运行中，一张标准厚度的A4纸应能吸附在柜门进风口过滤网上。
5、变频室必须保持干净，应根据现场实际情况随时清扫。
6、变频室的通风、照明必须良好，通风设备能够正常运转。
上海乃谐电气设备有限公司自2008年成立以来，随着业务的逐步拓展，在工业驱动服务领域的知名度逐步提高，我们和数十个终端客户建立了广泛稳定的合作关系，这些终端客户分布于各行各业：电力，市政，冶金，石油，化工，建材，采矿等，散布于全国各地。公司拥有一批曾长期工作于世界各知名品牌电气公司、专业从事高低压变频器服务的资深工程师，具备非常专业的知识技能、丰富的实践经验以及良好的客户沟通及培训技巧，时刻准备为客户提供快捷高效的服务。
|
LDZ094726C |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
|
LDZ094595C |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
|
A1A094726 |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
|
A1A094595 |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
|
LDZ10500424.040 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 40A |
|
LDZ10500424.070 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 70A |
|
LDZ10500424.100 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 100A |
|
LDZ10500424.140 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 140A |
|
LDZ10500494.200 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 200A |
|
LDZ10500494.260 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 260A |
|
A5E33094595（A5E33115305) |
G4 CELL |
|
A5E32855090（A5E33115306) |
G4 CELL |
|
A5E33096198（A5E33115308) |
G4 CELL |
|
A5E32539903（A5E33115309) |
G4 CELL |
|
A5E35494212 |
G4 CELL |
|
LDZ10506547 replaced LDZ10506536 |
FUSE SEMICONDUCTOR 100A 1000V |
|
LDZ10506548 replaced LDZ10506537 |
FUSE SEMICONDUCTOR 160A,1000V |
|
LDZ10506549 replaced LDZ10506538 |
FUSE SEMICONDUCTOR 200A,1000V |
|
LDZ10506539 |
FUSE SEMICONDUCTOR,250A,1000V |
|
A5E02547653 replaced LDZ10506540 |
FUSE_DEVICE_450A_1.25kV |
|
A5E31476702 |
FUSE |
|
A5E31476700 |
FUSE |
|
A5E31476394 |
FUSE |
|
A5E31556481 |
FUSE |
|
LDZ10501376 |
CURR TRNSDCR,CLSD LOOP,2000A |
|
A1A093207 |
DEIONIZE-MIXED BED TYPE |
|
A1A461J63.01250H |
WCLL POWER CELL |
|
A1A10000313.00 |
ASSY,BASIC CHASSIS,NXG,8 SLOT |
